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ALD簡介

   原子層沉(chen)積(ji)技(ji)術(Atomic Layer Deposition，簡稱ALD)是一種在納米尺(chi)度(du)上進(jin)行薄膜沉積的先進技術。通過將物質以單原子形式一層一層的鍍在基底表面，擁有優異的三維共形性、大面積成膜的均勻性和精確控制膜厚等特點。

ALD應用

ALD在能源領域應用

2009年，Miyaska課題組(zu)將鈣鈦礦材料(liao)MAPbI3用作(zuo)燃料(liao)敏(min)化太陽能電(dian)池(chi)的(de)光伏活性(xing)層，正(zheng)式開(kai)啟了鈣鈦礦太陽能電(dian)池(chi)的(de)新紀元。ALD憑借其均勻成膜(mo)性(xing)、精(jing)準控制厚度和保形性(xing)等多種優勢，在光伏領(ling)域中發揮著重(zhong)要作(zuo)用。除此之外，ALD技術(shu)還(huan)可用于鋰電(dian)池(chi)薄膜(mo)涂層，提高電(dian)池(chi)性(xing)能。

ALD在泛半導體應(ying)用(yong)

隨著泛半導(dao)體行(xing)業(ye)的發展(zhan)，對微型化和(he)集成化要求越(yue)(yue)來越(yue)(yue)高，尺寸縮(suo)小至亞微米(mi)和(he)納米(mi)量(liang)級，ALD作為一種高精度薄膜(mo)沉(chen)積(ji)技術，可用于(yu)晶體(ti)管柵(zha)(zha)極電介質(zhi)層(高K材料(liao))、金屬柵(zha)(zha)電極、有機發(fa)光顯示器(qi)涂層、銅互聯(lian)擴散阻擋層、DRAM電介質(zhi)層、微流體(ti)和(he)MEMS涂層、傳(chuan)感器(qi)等眾多領域。

ALD在光學領(ling)域應用

由于 ALD 具有的(de)三維共(gong)形沉積和(he)大(da)面(mian)積均勻性特(te)點，已成功應用于高質量光(guang)(guang)學(xue)(xue)(xue)薄(bo)(bo)膜(mo)、增透膜(mo)、折射率可(ke)調的(de)光(guang)(guang)學(xue)(xue)(xue)薄(bo)(bo)膜(mo)、波狀(zhuang)多層膜(mo)，改善了光(guang)(guang)子(zi)晶體的(de)光(guang)(guang)學(xue)(xue)(xue)性質和(he)可(ke)控性，增加了光(guang)(guang)子(zi)晶體在未來光(guang)(guang)學(xue)(xue)(xue)器件中的(de)應用潛力。

 公(gong)司(si)致力于ALD高純半導體薄(bo)膜前驅體材料的(de)自主(zhu)研(yan)(yan)發和(he)生產(chan)，成立以來，已(yi)陸(lu)續向多(duo)家半導體客戶(hu)提供(gong)(gong)了百余種前驅體新材料，包括高純硅基前驅體系(xi)列、High-k前驅體系(xi)列產(chan)品(pin)，部(bu)分新品(pin)已(yi)被客戶(hu)用于5nm以下制程薄(bo)膜設備。我們致力為(wei)客戶(hu)提供(gong)(gong)優(you)質的(de)產(chan)品(pin)并建立互信、長久的(de)合作關系(xi)，產(chan)品(pin)具有自主(zhu)知(zhi)識(shi)產(chan)權且原材料國(guo)產(chan)化，打破國(guo)外壟斷(duan)的(de)同時(shi)保證(zheng)供(gong)(gong)應鏈的(de)安(an)全。研(yan)(yan)峰科技愿與國(guo)內芯(xin)片、高端(duan)顯示、光伏新能源等高端(duan)客戶(hu)一(yi)起攜手，解決高端(duan)半導體材料的(de)把脖(bo)子難題，早日實現(xian)進(jin)口替代(dai)。