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ALD簡介

   原(yuan)子(zi)層沉積技術(shu)(Atomic Layer Deposition，簡稱ALD)是一種在納米尺度(du)上進行薄膜(mo)沉積的先進技術。通過將物質以單原子形式一層一層的鍍在基底表面，擁有優異的三維共形性、大面積成膜的均勻性和精確控制膜厚等特點。

ALD應用

ALD在能源領域應(ying)用

2009年，Miyaska課題組將鈣(gai)鈦(tai)(tai)礦(kuang)材料MAPbI3用(yong)(yong)作燃料敏化太(tai)陽(yang)(yang)能電(dian)(dian)池(chi)的光(guang)伏活性層(ceng)，正式開啟(qi)了(le)鈣(gai)鈦(tai)(tai)礦(kuang)太(tai)陽(yang)(yang)能電(dian)(dian)池(chi)的新紀元。ALD憑借其均勻成膜性、精準控(kong)制厚度和保形性等多種優勢(shi)，在光(guang)伏領域(yu)中發揮(hui)著重要作用(yong)(yong)。除此之外(wai)，ALD技術還可用(yong)(yong)于鋰電(dian)(dian)池(chi)薄膜涂層(ceng)，提(ti)高電(dian)(dian)池(chi)性能。

ALD在(zai)泛半導(dao)體(ti)應用

隨著泛半導體(ti)行業的發展，對(dui)微(wei)型化和集成化要求越來越高，尺寸縮(suo)小至亞微(wei)米(mi)和納米(mi)量級，ALD作為(wei)一種(zhong)高精度薄膜沉積(ji)技術，可用(yong)于(yu)晶體管柵極電介(jie)質層(ceng)(高K材料)、金屬柵電極、有機(ji)發(fa)光顯示器涂(tu)層(ceng)、銅互(hu)聯擴散阻擋層(ceng)、DRAM電介(jie)質層(ceng)、微流體和MEMS涂(tu)層(ceng)、傳感(gan)器等眾(zhong)多領(ling)域(yu)。

ALD在(zai)光(guang)學領(ling)域應用

由于 ALD 具有的(de)(de)三維共形沉積(ji)和(he)大面(mian)積(ji)均勻性(xing)特點，已(yi)成功應用(yong)于高質(zhi)(zhi)量(liang)光(guang)學(xue)薄(bo)膜(mo)、增透膜(mo)、折射率(lv)可(ke)調的(de)(de)光(guang)學(xue)薄(bo)膜(mo)、波狀多層(ceng)膜(mo)，改善了(le)光(guang)子(zi)晶(jing)體(ti)(ti)的(de)(de)光(guang)學(xue)性(xing)質(zhi)(zhi)和(he)可(ke)控(kong)性(xing)，增加了(le)光(guang)子(zi)晶(jing)體(ti)(ti)在未來(lai)光(guang)學(xue)器件中的(de)(de)應用(yong)潛力。

 公司致力于ALD高(gao)(gao)純(chun)半(ban)導體(ti)薄膜(mo)前(qian)驅(qu)體(ti)材料的自主(zhu)研(yan)發和(he)生(sheng)產，成立以來，已陸續(xu)向多家半(ban)導體(ti)客戶(hu)提(ti)(ti)供(gong)了百余(yu)種前(qian)驅(qu)體(ti)新(xin)材料，包括高(gao)(gao)純(chun)硅基前(qian)驅(qu)體(ti)系(xi)(xi)列、High-k前(qian)驅(qu)體(ti)系(xi)(xi)列產品(pin)，部分新(xin)品(pin)已被客戶(hu)用于5nm以下(xia)制程薄膜(mo)設備。我們致力為客戶(hu)提(ti)(ti)供(gong)優質的產品(pin)并建(jian)立互(hu)信(xin)、長久的合(he)作(zuo)關系(xi)(xi)，產品(pin)具有自主(zhu)知識產權且(qie)原(yuan)材料國產化，打破國外(wai)壟斷的同(tong)時保證(zheng)供(gong)應鏈(lian)的安全。研(yan)峰(feng)科技愿與國內芯片、高(gao)(gao)端顯示(shi)、光伏新(xin)能源等高(gao)(gao)端客戶(hu)一起攜(xie)手，解(jie)決高(gao)(gao)端半(ban)導體(ti)材料的把脖(bo)子難題，早日實現進口替代。