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ALD簡介(jie)

   原(yuan)子層沉積技術(Atomic Layer Deposition，簡稱ALD)是一種在納米尺度(du)上進行(xing)薄膜沉積的先進技術。通過將物質以單原子形式一層一層的鍍在基底表面，擁有優異的三維共形性、大面積成膜的均勻性和精確控制膜厚等特點。

ALD應用(yong)

ALD在能(neng)源領域應用

2009年，Miyaska課題組將鈣鈦礦(kuang)材料MAPbI3用作(zuo)燃料敏(min)化太陽(yang)(yang)能(neng)(neng)電池的(de)光伏活性(xing)(xing)(xing)(xing)層，正式開啟了鈣鈦礦(kuang)太陽(yang)(yang)能(neng)(neng)電池的(de)新紀元。ALD憑借其均勻(yun)成膜性(xing)(xing)(xing)(xing)、精(jing)準控制厚度和保(bao)形性(xing)(xing)(xing)(xing)等(deng)多(duo)種優勢，在光伏領域中發揮著(zhu)重要(yao)作(zuo)用。除(chu)此之外，ALD技術還可用于鋰電池薄膜涂層，提高電池性(xing)(xing)(xing)(xing)能(neng)(neng)。

ALD在泛半(ban)導體應(ying)用

隨著泛半導體行業的發展，對微型化和集成化要求越(yue)來越(yue)高(gao)，尺寸縮小至亞微米和納米量(liang)級，ALD作為一種高(gao)精度薄(bo)膜(mo)沉積技術(shu)，可用于晶體管(guan)柵極電(dian)(dian)介(jie)質層(高(gao)K材料)、金屬柵電(dian)(dian)極、有機發(fa)光顯(xian)示(shi)器涂層、銅互聯(lian)擴散(san)阻擋層、DRAM電(dian)(dian)介(jie)質層、微流體和(he)MEMS涂層、傳感器等眾(zhong)多(duo)領域。

ALD在(zai)光學領域應用

由(you)于(yu) ALD 具有的(de)三維共形(xing)沉積和大面積均勻性(xing)特點(dian)，已(yi)成功(gong)應(ying)(ying)用于高(gao)質量光(guang)(guang)(guang)學(xue)(xue)薄(bo)膜(mo)、增透膜(mo)、折射率可調的(de)光(guang)(guang)(guang)學(xue)(xue)薄(bo)膜(mo)、波(bo)狀多層膜(mo)，改善了光(guang)(guang)(guang)子晶(jing)體(ti)的(de)光(guang)(guang)(guang)學(xue)(xue)性(xing)質和可控性(xing)，增加了光(guang)(guang)(guang)子晶(jing)體(ti)在未來光(guang)(guang)(guang)學(xue)(xue)器件中的(de)應(ying)(ying)用潛力。

 公司致力于ALD高(gao)純(chun)半(ban)導體(ti)薄(bo)膜前(qian)驅體(ti)材(cai)料(liao)(liao)的自(zi)主研發和生(sheng)產(chan)，成立以來，已陸(lu)續(xu)向多家(jia)半(ban)導體(ti)客戶(hu)提(ti)供(gong)了百余(yu)種前(qian)驅體(ti)新(xin)(xin)(xin)材(cai)料(liao)(liao)，包括(kuo)高(gao)純(chun)硅基前(qian)驅體(ti)系(xi)列、High-k前(qian)驅體(ti)系(xi)列產(chan)品(pin)，部分新(xin)(xin)(xin)品(pin)已被客戶(hu)用于5nm以下制(zhi)程薄(bo)膜設(she)備。我們致力為客戶(hu)提(ti)供(gong)優(you)質的產(chan)品(pin)并(bing)建立互(hu)信(xin)、長久(jiu)的合作關系(xi)，產(chan)品(pin)具有(you)自(zi)主知識產(chan)權且原材(cai)料(liao)(liao)國(guo)產(chan)化，打破國(guo)外壟斷的同(tong)時保證供(gong)應(ying)鏈的安全。研峰科技(ji)愿與國(guo)內芯片(pian)、高(gao)端顯(xian)示、光伏新(xin)(xin)(xin)能(neng)源等高(gao)端客戶(hu)一起(qi)攜手，解決(jue)高(gao)端半(ban)導體(ti)材(cai)料(liao)(liao)的把脖子難題(ti)，早日實現進口替代。