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ALD簡介

   原子(zi)層沉積技(ji)術(Atomic Layer Deposition，簡稱ALD)是一種在納米尺度(du)上進行薄(bo)膜沉積的先進技術。通過將物質以單原子形式一層一層的鍍在基底表面，擁有優異的三維共形性、大面積成膜的均勻性和精確控制膜厚等特點。

ALD應用

ALD在(zai)能源領(ling)域應(ying)用

2009年，Miyaska課題組(zu)將(jiang)鈣鈦礦材料MAPbI3用作(zuo)燃料敏(min)化太(tai)陽能(neng)電池(chi)的(de)光(guang)伏活性(xing)層(ceng)，正式開啟了鈣鈦礦太(tai)陽能(neng)電池(chi)的(de)新紀(ji)元。ALD憑借其均勻成膜(mo)性(xing)、精準控制(zhi)厚度(du)和保形性(xing)等(deng)多(duo)種優勢，在光(guang)伏領域中發揮著重要作(zuo)用。除(chu)此(ci)之外(wai)，ALD技術(shu)還可(ke)用于鋰電池(chi)薄膜(mo)涂層(ceng)，提(ti)高電池(chi)性(xing)能(neng)。

ALD在泛半(ban)導體(ti)應用

隨著泛半導體行業的發展，對微型化和集成化要求(qiu)越來越高，尺寸縮小至亞微米(mi)和納米(mi)量級(ji)，ALD作為一種(zhong)高(gao)精度薄膜沉積技術，可用于晶(jing)體管柵(zha)極電介質(zhi)層(ceng)(ceng)(高(gao)K材料)、金(jin)屬柵(zha)電極、有機發光顯示器涂(tu)層(ceng)(ceng)、銅互聯(lian)擴散阻擋層(ceng)(ceng)、DRAM電介質(zhi)層(ceng)(ceng)、微流(liu)體和MEMS涂(tu)層(ceng)(ceng)、傳感器等(deng)眾(zhong)多(duo)領域(yu)。

ALD在光學領(ling)域應用

由于 ALD 具有(you)的(de)三維(wei)共形沉積(ji)和(he)大面積(ji)均勻性特(te)點，已成功應(ying)用于高質量光(guang)學(xue)薄(bo)膜(mo)、增透膜(mo)、折射率(lv)可調的(de)光(guang)學(xue)薄(bo)膜(mo)、波狀多層膜(mo)，改善了(le)光(guang)子晶(jing)體的(de)光(guang)學(xue)性質和(he)可控性，增加(jia)了(le)光(guang)子晶(jing)體在(zai)未來光(guang)學(xue)器件(jian)中的(de)應(ying)用潛力。

 公司致力于(yu)ALD高(gao)純半(ban)(ban)導(dao)體(ti)(ti)薄膜前(qian)驅(qu)(qu)(qu)體(ti)(ti)材料的(de)自主研(yan)發和生產，成立(li)以來，已陸續(xu)向(xiang)多(duo)家(jia)半(ban)(ban)導(dao)體(ti)(ti)客戶(hu)提(ti)供(gong)了百余種前(qian)驅(qu)(qu)(qu)體(ti)(ti)新材料，包(bao)括高(gao)純硅基前(qian)驅(qu)(qu)(qu)體(ti)(ti)系列(lie)、High-k前(qian)驅(qu)(qu)(qu)體(ti)(ti)系列(lie)產品，部分(fen)新品已被客戶(hu)用于(yu)5nm以下制程薄膜設備。我們致力為客戶(hu)提(ti)供(gong)優質的(de)產品并建立(li)互信(xin)、長久的(de)合(he)作關系，產品具有自主知識產權且原材料國產化，打破國外壟斷的(de)同(tong)時保證供(gong)應鏈的(de)安(an)全。研(yan)峰科技愿與(yu)國內芯(xin)片、高(gao)端(duan)(duan)顯(xian)示、光伏新能源等高(gao)端(duan)(duan)客戶(hu)一起攜手(shou)，解決(jue)高(gao)端(duan)(duan)半(ban)(ban)導(dao)體(ti)(ti)材料的(de)把脖子(zi)難(nan)題(ti)，早日實現進口替代。