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ALD簡介

   原子層沉(chen)積技術(Atomic Layer Deposition，簡稱ALD)是一種在納米尺度上進行薄(bo)膜沉積的先進技術。通過將物質以單原子形式一層一層的鍍在基底表面，擁有優異的三維共形性、大面積成膜的均勻性和精確控制膜厚等特點。

ALD應用

ALD在能源領域(yu)應用

2009年，Miyaska課題組將(jiang)鈣鈦礦材(cai)料MAPbI3用作燃料敏化太陽能(neng)電池的光伏活性層，正式開(kai)啟了鈣鈦礦太陽能(neng)電池的新紀元。ALD憑借其均勻成膜(mo)性、精準(zhun)控制厚度和保形性等多種優勢，在光伏領域中發揮著(zhu)重(zhong)要作用。除(chu)此之外，ALD技(ji)術還(huan)可(ke)用于鋰電池薄膜(mo)涂(tu)層，提高電池性能(neng)。

ALD在泛(fan)半導體(ti)應用

隨著泛半導體行業的(de)發展，對微型(xing)化和集(ji)成化要求越(yue)來(lai)越(yue)高(gao)，尺(chi)寸縮小至亞微米和納米量(liang)級，ALD作(zuo)為一種高(gao)(gao)精度(du)薄(bo)膜沉積(ji)技術，可用(yong)于晶(jing)體管柵極電介質(zhi)層(ceng)(高(gao)(gao)K材(cai)料)、金屬(shu)柵電極、有(you)機發光(guang)顯示器涂層(ceng)、銅互聯擴散阻擋層(ceng)、DRAM電介質(zhi)層(ceng)、微(wei)流體和MEMS涂層(ceng)、傳(chuan)感器等眾多領域(yu)。

ALD在光學領(ling)域應用(yong)

由于 ALD 具有的(de)三維共(gong)形沉(chen)積和(he)大面積均勻性特(te)點，已(yi)成功應用(yong)于高質(zhi)量光(guang)學(xue)(xue)(xue)薄膜(mo)、增透膜(mo)、折射(she)率可調(diao)的(de)光(guang)學(xue)(xue)(xue)薄膜(mo)、波狀多層膜(mo)，改善了光(guang)子晶(jing)體的(de)光(guang)學(xue)(xue)(xue)性質(zhi)和(he)可控性，增加了光(guang)子晶(jing)體在(zai)未來光(guang)學(xue)(xue)(xue)器(qi)件中的(de)應用(yong)潛(qian)力(li)。

 公司致力于ALD高純半(ban)導(dao)體(ti)薄膜(mo)前(qian)(qian)驅(qu)(qu)體(ti)材(cai)料(liao)的(de)(de)自(zi)主研(yan)發和生產(chan)(chan)，成立(li)(li)以來(lai)，已陸續向多(duo)家半(ban)導(dao)體(ti)客戶(hu)提供了百余(yu)種(zhong)前(qian)(qian)驅(qu)(qu)體(ti)新材(cai)料(liao)，包括高純硅基前(qian)(qian)驅(qu)(qu)體(ti)系(xi)列、High-k前(qian)(qian)驅(qu)(qu)體(ti)系(xi)列產(chan)(chan)品，部分新品已被客戶(hu)用(yong)于5nm以下制(zhi)程薄膜(mo)設備。我們致力為客戶(hu)提供優質的(de)(de)產(chan)(chan)品并建立(li)(li)互信(xin)、長(chang)久的(de)(de)合(he)作關系(xi)，產(chan)(chan)品具有自(zi)主知識產(chan)(chan)權且原材(cai)料(liao)國產(chan)(chan)化(hua)，打破(po)國外壟斷的(de)(de)同時(shi)保證供應鏈的(de)(de)安全。研(yan)峰科技愿(yuan)與國內芯片、高端顯示、光伏新能源(yuan)等高端客戶(hu)一(yi)起攜手，解決高端半(ban)導(dao)體(ti)材(cai)料(liao)的(de)(de)把(ba)脖(bo)子難題，早日(ri)實(shi)現進口替代。