ALD簡介
原子層沉(chen)積技術(Atomic Layer Deposition,簡稱ALD)是一種在納(na)米尺(chi)度(du)上進行薄膜沉積的先進技術。通過將物質以單原子形式一層一層的鍍在基底表面,擁有優異的三維共形性、大面積成膜的均勻性和精確控制膜厚等特點。
ALD應用
ALD在能源領域(yu)應(ying)用
2009年,Miyaska課題組將鈣鈦礦(kuang)(kuang)材(cai)料(liao)MAPbI3用作(zuo)燃料(liao)敏化太陽(yang)能電(dian)池(chi)(chi)(chi)的(de)光(guang)伏活性(xing)(xing)層,正式開啟了鈣鈦礦(kuang)(kuang)太陽(yang)能電(dian)池(chi)(chi)(chi)的(de)新紀元。ALD憑借其均(jun)勻成膜性(xing)(xing)、精準控制厚度和(he)保形(xing)性(xing)(xing)等多(duo)種優勢(shi),在(zai)光(guang)伏領域中發(fa)揮著(zhu)重要作(zuo)用。除此之外,ALD技術還可用于鋰電(dian)池(chi)(chi)(chi)薄膜涂層,提高(gao)電(dian)池(chi)(chi)(chi)性(xing)(xing)能。
ALD在泛半導體應用
隨著泛(fan)半導體行(xing)業的發展,對(dui)微(wei)型(xing)化和(he)集成化要求越來(lai)越高,尺寸縮小至亞微(wei)米和(he)納米量(liang)級,ALD作為(wei)一種高精(jing)度薄(bo)膜(mo)沉(chen)積技術,可用于晶(jing)體(ti)管柵極電介質(zhi)層(ceng)(高K材料)、金屬柵電極、有機(ji)發光顯(xian)示器涂層(ceng)、銅互聯擴散阻擋層(ceng)、DRAM電介質(zhi)層(ceng)、微流體(ti)和MEMS涂層(ceng)、傳(chuan)感(gan)器等眾多領域。
ALD在光學領(ling)域應用
由于(yu) ALD 具有的三維共形沉積(ji)(ji)和(he)大面積(ji)(ji)均勻(yun)性特點,已成(cheng)功(gong)應用于高質(zhi)量光學(xue)(xue)薄膜(mo)(mo)、增(zeng)透膜(mo)(mo)、折射率可(ke)(ke)調的光學(xue)(xue)薄膜(mo)(mo)、波(bo)狀多(duo)層膜(mo)(mo),改善了光子晶體的光學(xue)(xue)性質(zhi)和(he)可(ke)(ke)控(kong)性,增(zeng)加(jia)了光子晶體在未來光學(xue)(xue)器件中的應用潛力。
公司致力于ALD高(gao)純半導(dao)體薄(bo)(bo)膜(mo)前驅(qu)(qu)體材(cai)(cai)料(liao)的(de)自主(zhu)(zhu)研發和生產(chan)(chan),成(cheng)立(li)以來(lai),已陸續向多(duo)家半導(dao)體客戶(hu)(hu)提(ti)供了(le)百余(yu)種(zhong)前驅(qu)(qu)體新材(cai)(cai)料(liao),包(bao)括高(gao)純硅基前驅(qu)(qu)體系(xi)列、High-k前驅(qu)(qu)體系(xi)列產(chan)(chan)品(pin),部(bu)分新品(pin)已被客戶(hu)(hu)用(yong)于5nm以下(xia)制程薄(bo)(bo)膜(mo)設備。我們致力為客戶(hu)(hu)提(ti)供優質的(de)產(chan)(chan)品(pin)并(bing)建立(li)互信、長(chang)久(jiu)的(de)合作關系(xi),產(chan)(chan)品(pin)具有自主(zhu)(zhu)知識產(chan)(chan)權且原材(cai)(cai)料(liao)國(guo)產(chan)(chan)化,打破國(guo)外壟斷的(de)同(tong)時保證供應鏈的(de)安(an)全(quan)。研峰科(ke)技愿與國(guo)內芯片、高(gao)端顯示、光(guang)伏(fu)新能源等高(gao)端客戶(hu)(hu)一起攜手,解決高(gao)端半導(dao)體材(cai)(cai)料(liao)的(de)把脖子難題,早日實現(xian)進口替代。
Chemical Name | Tris(Dimethylamino)Silane |
---|---|
Synonym | (Me2N)3SiH N,N,N',N',N'',N''-Hexamethylsilanetriamine TDMAS Tris(dimethylamido)silane Tris(dimethylamino)silane (Me2N)3SiH 三(二甲胺基)硅烷 N,N,N',N',N'',N''-Hexamethylsilanetriamine TDMAS Tris(dimethylamido)silane Tris(dimethylamido)silane (Me2N)3SiH N,N,N',N',N'', N''-Hexamethylsilanetriamine N,N,N',N',N'',N''-Hexamethylsilanetriamine TDMAS Tris(dimethylamido)silane |
EC Number | 239-165-0 |
Chemical Name Translation | 三(二甲胺基)硅烷 |
Beilstein Registry Number | 1901643 |
PubChem Substance ID | 329758267 |
MDL Number | MFCD00048006 |
CAS Number | 15112-89-7 |
WGK Germany | 3 |
---|---|
Hazard statements | |
| |
Personal Protective Equipment | Faceshields, full-face respirator (US), Gloves, Goggles, multi-purpose combination respirator cartridge (US), type ABEK (EN14387) respirator filter |
RTECS | VV5800000 |
Precautionary statements | |
| |
Signal word | Danger |
Hazard Codes | F,C |
Safety Statements | |
| |
Risk Statements | |
| |
Restrict | 危險品 |
*以上(shang)化(hua)合物性質及(ji)應用等(deng)信息僅供(gong)參考