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ALD簡介(jie)

   原子層(ceng)沉積技(ji)術(Atomic Layer Deposition，簡稱ALD)是一種在納米尺(chi)度上(shang)進行薄膜(mo)沉積的先進技術。通過將物質以單原子形式一層一層的鍍在基底表面，擁有優異的三維共形性、大面積成膜的均勻性和精確控制膜厚等特點。

ALD應用

ALD在(zai)能源領域(yu)應用

2009年(nian)，Miyaska課題組將鈣鈦(tai)礦材料(liao)MAPbI3用作燃料(liao)敏(min)化(hua)太(tai)陽(yang)能電池的(de)光(guang)伏(fu)活性層(ceng)，正式(shi)開啟了鈣鈦(tai)礦太(tai)陽(yang)能電池的(de)新紀元。ALD憑(ping)借其均勻成(cheng)膜(mo)性、精(jing)準控制厚度和(he)保形性等(deng)多(duo)種(zhong)優勢，在(zai)光(guang)伏(fu)領域中發(fa)揮著重要作用。除此之外，ALD技術(shu)還可用于(yu)鋰電池薄(bo)膜(mo)涂層(ceng)，提高電池性能。

ALD在泛(fan)半(ban)導體(ti)應用

隨著泛半導體行業的發展，對微型化(hua)和集成化(hua)要求越(yue)來越(yue)高，尺寸縮(suo)小(xiao)至亞微米和納米量級，ALD作為(wei)一種(zhong)高精(jing)度(du)薄膜(mo)沉積(ji)技術，可用于(yu)晶體管柵極(ji)電介質層(高K材料)、金屬柵電極(ji)、有機發光(guang)顯(xian)示器(qi)涂層、銅(tong)互聯擴(kuo)散阻擋層、DRAM電介質層、微流(liu)體和MEMS涂層、傳感器(qi)等(deng)眾多(duo)領(ling)域(yu)。

ALD在光學領域應用(yong)

由(you)于(yu) ALD 具有的(de)三維共形沉積(ji)和大面積(ji)均勻性(xing)特點，已成功應用于高質(zhi)(zhi)量光(guang)(guang)學薄膜、增透膜、折射率可調的(de)光(guang)(guang)學薄膜、波狀多層膜，改善了光(guang)(guang)子晶(jing)體的(de)光(guang)(guang)學性(xing)質(zhi)(zhi)和可控性(xing)，增加了光(guang)(guang)子晶(jing)體在未來(lai)光(guang)(guang)學器件中(zhong)的(de)應用潛力(li)。

 公司致力(li)于(yu)ALD高(gao)(gao)(gao)純半導體(ti)(ti)薄膜(mo)前驅體(ti)(ti)材料(liao)的自主研發和生產(chan)，成立以來，已陸續向多家半導體(ti)(ti)客戶(hu)提供了百余種前驅體(ti)(ti)新材料(liao)，包括高(gao)(gao)(gao)純硅基前驅體(ti)(ti)系(xi)(xi)列、High-k前驅體(ti)(ti)系(xi)(xi)列產(chan)品(pin)，部分(fen)新品(pin)已被客戶(hu)用于(yu)5nm以下制程薄膜(mo)設(she)備(bei)。我們(men)致力(li)為客戶(hu)提供優質的產(chan)品(pin)并建立互信、長久的合(he)作關系(xi)(xi)，產(chan)品(pin)具(ju)有自主知識產(chan)權且原材料(liao)國產(chan)化(hua)，打破國外壟(long)斷(duan)的同時保證供應鏈的安(an)全。研峰科技愿與國內芯片、高(gao)(gao)(gao)端顯示、光伏新能源等高(gao)(gao)(gao)端客戶(hu)一起攜手，解決(jue)高(gao)(gao)(gao)端半導體(ti)(ti)材料(liao)的把脖子(zi)難(nan)題，早日實現進口替代。